固相エピタキシャル成長によるルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜の合成に関する論文がAppl. Phys. Lett.で公開されました。

両極性超ワイドギャップ半導体の候補であるルチル型GeO₂薄膜の固相エピタキシャル成長に関する論文がApplied Physics Lettersで公開されました。長島君、大澤君が中心になって行った研究の成果です。

The paper about solid phase epitaxy of rutile GeO₂ has been published in Appl. Phys. Lett..

 

Solid phase epitaxy of rutile-type GeO₂ on TiO₂ (001)

Applied Physics Letters
Yo Nagashima, Shohei Osawa, Daichi Oka, Yasushi Hirose*
DOI:10.1063/5.0271675