D3の土井雅人さんが中心になって行った非晶質ZnO1-xSx薄膜の電気輸送特性に関する論文がJ. Vac. Sci. Tech. Bで公開されました。非晶質複合アニオン化合物半導体において高い移動度を実現するためには、電気陰性度の高いアニオン種の導入が重要なことを示唆する結果です。
Electron transport mechanisms in amorphous zinc oxysulfide thin films
Journal of Vacuum Science & Technology B 41, 022201 (2023)
Masato Tsuchii, Zhen Chen, Yasushi Hirose, and Tetsuya Hasegawa
DOI:10.1116/5.0104988