WO3/C3N5複合半導体の界面に形成されるSスキームヘテロ接合の動作機構に関する論文がApplied Surface Science に掲載されました

貴金属フリーで優れた光触媒性能を示す WO3/C3N5複合半導体について、界面に形成されるSスキームヘテロ接合に着目し、電荷移動と反応機構を分析しました。本研究成果は Applied Surface Science に掲載されています。

Efficient photocatalytic properties using the S-scheme charge transfer of WO3/C3N5 without precious metals

Applied Surface Science
Kosei Ito*, Shuta Fujioka, Shusuke Yoneyama, Matthis Richard Vosberg, Paul Fons, Kei Noda
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2026.166558