走査型プローブ顕微鏡（KPFM）を用いた局所表面電位解析から、MoS₂/g-C₃N₄/Ptヘテロ接合におけるバンドベンディングとバンドアライメントを評価し、光照射下における界面でS-scheme型電荷分離機構が形成されることを示しました。本研究成果はRSC Applied Interfacesに掲載されています。
Band alignment estimation of MoS2/g-C3N4 thin-film S-scheme heterojunction based on surface potential measurements
RSC Applied Interfaces
Yuto Suzuki, Kosei Ito, Kei Noda